Image is for reference only , details as Specifications
4N30
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| データシート: | 4N30 |
| 説明: | OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Optoisolators - Transistor, Photovoltaic Output |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | DC |
| 出力種別 | Darlington with Base |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ベース部材番号 | 4N30 |
| チャネル数 | 1 |
| 電圧-孤立 | 5300Vrms |
| vce|UNK|UNK|UNK飽和max | 1V |
| 作動温度 | -55°C ~ 100°C |
| 流行の季節(Typ) | - |
| 電圧-出力(最大) | 30V |
| サプライヤー装置パッケージ | 6-DIP |
| 电流-アウトプット/チャネル | 150mA |
| 現在の移籍比率(Max−1) | - |
| 現在の移籍率(Min) | 100% @ 10mA |
| 電圧-順方向(Vf) (Typ) | 1.2V |
| 消灯時間(Typ) | 5µs, 40µs (Max) |
| 现在- DCフォワード(If)(マックス) | 80mA |
