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55GN01CA-TB-E

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
データシート: 55GN01CA-TB-E
説明: RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - RF
利得 9.5dB
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 200mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
トランジスタタイプ NPN
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 4.5GHz
サプライヤー装置パッケージ 3-CP
騷音図(dB Typ @ f) 1.9dB @ 1GHz
現在-コレクター・Ic (Max) 70mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 10mA, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 10V

在庫が 2980 pcs

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