画像は参考までに、仕様書を参照してください
6585_2N4209
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | 6585_2N4209 |
| 説明: | TRANS PNP GENERAL PURPOSE |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 300mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| トランジスタタイプ | PNP |
| 作動温度 | 200°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 850MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | Die |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 800mV @ 100µA, 1mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 50mA |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 10nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 35 @ 1mA, 5V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 15V |
在庫が 59 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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