画像は参考までに、仕様書を参照してください
BC637G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | BC637G |
| 説明: | TRANS NPN 60V 1A TO-92 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 625mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| トランジスタタイプ | NPN |
| ベース部材番号 | BC637 |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 200MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-92-3 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 1A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100nA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 40 @ 150mA, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 60V |
