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BD137G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BD137G
説明: TRANS NPN 60V 1.5A TO-225AA
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Active
-マックス 1.25W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-225AA, TO-126-3
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BD137
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ TO-225AA
vイス(Max) @ Ib、Ic 500mV @ 50mA, 500mA
現在-コレクター・Ic (Max) 1.5A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 40 @ 150mA, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 60V

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