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BD159G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BD159G
説明: TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Active
-マックス 20W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-225AA, TO-126-3
トランジスタタイプ NPN
ベース部材番号 BD159
作動温度 -65°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ TO-225AA
vイス(Max) @ Ib、Ic -
現在-コレクター・Ic (Max) 500mA
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 30 @ 50mA, 10V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 350V

在庫が 1467 pcs

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