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BD676AG

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BD676AG
説明: TRANS PNP DARL 45V 4A TO225
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Active
-マックス 40W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-225AA, TO-126-3
トランジスタタイプ PNP - Darlington
ベース部材番号 BD676
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ TO-225AA
vイス(Max) @ Ib、Ic 2.8V @ 40mA, 2A
現在-コレクター・Ic (Max) 4A
トラッキング・キュートフ(マックス) 500µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 750 @ 2A, 3V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 45V

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