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BD681S

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BD681S
説明: TRANS NPN DARL 100V 4A TO-126
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Last Time Buy
-マックス 40W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-225AA, TO-126-3
トランジスタタイプ NPN - Darlington
ベース部材番号 BD681
作動温度 150°C (TJ)
周波数-遷移 -
サプライヤー装置パッケージ TO-126-3
vイス(Max) @ Ib、Ic 2.5V @ 30mA, 1.5A
現在-コレクター・Ic (Max) 4A
トラッキング・キュートフ(マックス) 500µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 750 @ 1.5A, 3V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 100V

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