画像は参考までに、仕様書を参照してください
BD809G
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | BD809G |
| 説明: | TRANS NPN 80V 10A TO-220AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 90W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-220-3 |
| トランジスタタイプ | NPN |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 1.5MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-220AB |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.1V @ 300mA, 3A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 10A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 1mA (ICBO) |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 15 @ 4A, 2V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 80V |
在庫が 385 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.91 | $0.89 | $0.87 |
最小: 1
要求引用
下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します
Bargain Finds
