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BU323ZG
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | BU323ZG |
| 説明: | TRANS NPN DARL 350V 10A TO247 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 150W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-247-3 |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| 作動温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 2MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-247 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.7V @ 250mA, 10A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 10A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 500 @ 5A, 4.6V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 350V |
