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BUB323ZT4G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: BUB323ZT4G
説明: TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Digi-Reel®
部地位 Active
-マックス 150W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
トランジスタタイプ NPN - Darlington
ベース部材番号 BUB323
作動温度 -65°C ~ 175°C (TJ)
周波数-遷移 2MHz
サプライヤー装置パッケージ D2PAK
vイス(Max) @ Ib、Ic 1.7V @ 250mA, 10A
現在-コレクター・Ic (Max) 10A
トラッキング・キュートフ(マックス) 100µA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 500 @ 5A, 4.6V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 350V

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