BUB323ZT4G
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
データシート: | BUB323ZT4G |
説明: | TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
シリーズ | - |
包装 | Digi-Reel® |
部地位 | Active |
-マックス | 150W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
ベース部材番号 | BUB323 |
作動温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
周波数-遷移 | 2MHz |
サプライヤー装置パッケージ | D2PAK |
vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.7V @ 250mA, 10A |
現在-コレクター・Ic (Max) | 10A |
トラッキング・キュートフ(マックス) | 100µA |
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 500 @ 5A, 4.6V |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 350V |
在庫が 795 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1