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BUV21G

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート:	BUV21G
説明:	TRANS NPN 200V 40A TO-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ	SWITCHMODE™
包装	Tray
部地位	Active
-マックス	250W
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-204AE
トランジスタタイプ	NPN
作動温度	-65°C ~ 200°C (TJ)
周波数-遷移	8MHz
サプライヤー装置パッケージ	TO-3
vイス(Max) @ Ib、Ic	1.5V @ 3A, 25A
現在-コレクター・Ic (Max)	40A
トラッキング・キュートフ(マックス)	3mA
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce	20 @ 12A, 2V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max	200V