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EFC6601R-A-TR

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: EFC6601R-A-TR
説明: MOSFET 2N-CH EFCP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate, 2.5V Drive
部地位 Active
-マックス 2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-XFBGA, FCBGA
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs -
サプライヤー装置パッケージ EFCP2718-6CE-020
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 -
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds -
現在25%で安全連続(id) @°c -

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