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FCMT199N60

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FCMT199N60
説明: MOSFET N-CH 600V 20.2A POWER88
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ SuperFET® II
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 4-PowerTSFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 199mOhm @ 10A, 10V
電力放蕩(マックス) 208W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ Power88
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 2950pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 20.2A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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