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FCU850N80Z

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FCU850N80Z
説明: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ SuperFET® II
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 600µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 850mOhm @ 3A, 10V
電力放蕩(マックス) 75W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I-PAK
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 800V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1315pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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