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FDB8870-F085

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FDB8870-F085
説明:	MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	3.9mOhm @ 35A, 10V
電力放蕩(マックス)	160W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-263AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	132nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c	23A (Ta), 160A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V