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FDC2612

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FDC2612
説明:	MOSFET N-CH 200V 1.1A SSOT-6
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	PowerTrench®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	725mOhm @ 1.1A, 10V
電力放蕩(マックス)	1.6W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	SuperSOT™-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	234pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.1A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V