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FDC3601N

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: FDC3601N
説明: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Standard
部地位 Active
-マックス 700mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 500mOhm @ 1A, 10V
サプライヤー装置パッケージ SuperSOT™-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 1A

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