Image is for reference only , details as Specifications

FDD10AN06A0-F085

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FDD10AN06A0-F085
説明:	MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10.5mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス)	135W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-252AA
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	11A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V