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FDD1600N10ALZ

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDD1600N10ALZ
説明: MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 160mOhm @ 3.4A, 10V
電力放蕩(マックス) 14.9W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252, (D-Pak)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 3.61nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 225pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.8A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V, 10V

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