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FDD306P

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDD306P
説明: MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ P-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 28mOhm @ 6.7A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 52W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ TO-252
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1290pF @ 6V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.7A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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