画像は参考までに、仕様書を参照してください

FDD3510H

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	FDD3510H
説明:	MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	PowerTrench®
fet234タイプ	N and P-Channel, Common Drain
包装	Digi-Reel®
fet特徴	Logic Level Gate
部地位	Active
-マックス	1.3W
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	80mOhm @ 4.3A, 10V
サプライヤー装置パッケージ	TO-252-4L
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	800pF @ 40V
現在25%で安全連続(id) @°c	4.3A, 2.8A