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FDD3860

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDD3860
説明: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V
電力放蕩(マックス) 3.1W (Ta), 69W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D-PAK (TO-252AA)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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