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FDD6N50FTM

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDD6N50FTM
説明: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ UniFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号 FDD6N50
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.15Ohm @ 2.75A, 10V
電力放蕩(マックス) 89W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ D-Pak
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 19.8nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 500V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 5.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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