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FDD6N50TM-WS

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FDD6N50TM-WS
説明:	MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	UniFET™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±30V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ベース部材番号	FDD6N50
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	900mOhm @ 3A, 10V
電力放蕩(マックス)	89W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	D-Pak
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	16.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	500V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	9400pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	6A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V