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FDD850N10LD

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDD850N10LD
説明: MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 75mOhm @ 12A, 10V
電力放蕩(マックス) 42W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-252-4L
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 28.9nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1465pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 15.3A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 5V, 10V

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