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FDFMA2P859T

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDFMA2P859T
説明: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Isolated)
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 120mOhm @ 3A, 4.5V
電力放蕩(マックス) 1.4W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ MicroFET 2x2 Thin
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 435pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 3A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 1.8V, 4.5V

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