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FDFME2P823ZT

メーカー:	ON Semiconductor
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	FDFME2P823ZT
説明:	MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	ON Semiconductor
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	PowerTrench®
fet234タイプ	P-Channel
包装	Digi-Reel®
vgs max	±8V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	Schottky Diode (Isolated)
部地位	Obsolete
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-UFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	142mOhm @ 2.3A, 4.5V
電力放蕩(マックス)	1.4W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	6-MicroFET (1.6x1.6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	405pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.6A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	1.8V, 4.5V