FDG329N
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | FDG329N |
説明: | MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | PowerTrench® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 90mOhm @ 1.5A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 420mW (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | SC-88 (SC-70-6) |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 324pF @ 10V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 1.5A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |