画像は参考までに、仕様書を参照してください
FDI2532
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | FDI2532 |
| 説明: | MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | PowerTrench® |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 16mOhm @ 33A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 310W (Tc) |
| サプライヤー装置パッケージ | I2PAK (TO-262) |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 150V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 5870pF @ 25V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 8A (Ta), 79A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 6V, 10V |
