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FDI3632

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDI3632
説明: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 310W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ I2PAK (TO-262)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 12A (Ta), 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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