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FDMA86108LZ

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDMA86108LZ
説明: MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MLP
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 243mOhm @ 2.2A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.4W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 6-MicroFET (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 163pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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