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FDMS1D4N03S

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDMS1D4N03S
説明: MOSFET N-CH 30V 211A 8PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®, SyncFET™
fet234タイプ N-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±16V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 Schottky Diode (Body)
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.09mOhm @ 38A, 10V
電力放蕩(マックス) 74W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 10250pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 211A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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