FDMS3660S
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | FDMS3660S |
説明: | MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | PowerTrench® |
fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
包装 | Digi-Reel® |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Active |
-マックス | 1W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-PowerTDFN |
ベース部材番号 | FDMS3660S |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 8mOhm @ 13A, 10V |
サプライヤー装置パッケージ | Power56 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 13A, 30A |
在庫が 2779 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1