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FDMS3660S

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: FDMS3660S
説明: MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
ベース部材番号 FDMS3660S
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
サプライヤー装置パッケージ Power56
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1765pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 13A, 30A

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