画像は参考までに、仕様書を参照してください

FDMS86101E

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDMS86101E
説明: FET 100V 8.0 MOHM PQFN56
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ N-Channel
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 8mOhm @ 13A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.5W (Ta), 104W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (5x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3000pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 12.4A (Ta), 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

在庫が 97 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.27 $1.24 $1.22
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

IPB140N08S404ATMA1
Infineon Technologies
$1.27
FDB8443
ON Semiconductor
$0
PSMN2R0-60PSRQ
Nexperia USA Inc.
$1.26
DMN80H2D0SCTI
Diodes Incorporated
$1.26
IRFSL7734PBF
Infineon Technologies
$1.26