FDN361AN
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | FDN361AN |
説明: | MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | PowerTrench® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 100mOhm @ 1.8A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 500mW (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | SuperSOT-3 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 1.8A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |