画像は参考までに、仕様書を参照してください
FDR6580
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | FDR6580 |
| 説明: | MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | PowerTrench® |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| vgs max | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 9mOhm @ 11.2A, 4.5V |
| 電力放蕩(マックス) | 1.8W (Ta) |
| サプライヤー装置パッケージ | SuperSOT™-8 |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 3829pF @ 10V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 11.2A (Ta) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
