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FDS3601
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| データシート: | FDS3601 |
| 説明: | MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| シリーズ | PowerTrench® |
| fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| fet特徴 | Logic Level Gate |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 900mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 480mOhm @ 1.3A, 10V |
| サプライヤー装置パッケージ | 8-SOIC |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 153pF @ 50V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 1.3A |
