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FDS86267P

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: FDS86267P
説明: MOSFET P-CH 150V
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ PowerTrench®
fet234タイプ P-Channel
包装 Digi-Reel®
vgs max ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 255mOhm @ 2.2A, 10V
電力放蕩(マックス) 1W (Ta)
サプライヤー装置パッケージ 8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 150V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 75V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.2A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 6V, 10V

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