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FGA120N30DTU

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGA120N30DTU
説明: IGBT 300V 120A 290W TO3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 120nC
部地位 Obsolete
-マックス 290W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 -
スイッチングエネルギー -
td (on / off) @ 25°c -
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.4V @ 15V, 25A
反転回復時間(trr) 21ns
現在-コレクター・Ic (Max) 120A
現在-コレクターピン(Icm) 300A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 300V

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