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FGA25N120FTD

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGA25N120FTD
説明: IGBT 1200V 50A 313W TO3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 160nC
部地位 Obsolete
-マックス 313W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 600V, 25A, 15Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 340µJ (on), 900µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 48ns/210ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 25A
反転回復時間(trr) 770ns
現在-コレクター・Ic (Max) 50A
現在-コレクターピン(Icm) 75A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 79 pcs

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