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FGA30N120FTDTU
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | FGA30N120FTDTU |
| 説明: | IGBT 1200V 60A 339W TO3P |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Trench Field Stop |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 208nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 339W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 実験条件 | - |
| スイッチングエネルギー | - |
| td (on / off) @ 25°c | - |
| 作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3PN |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A |
| 反転回復時間(trr) | 730ns |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 90A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 80 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.68 | $6.55 | $6.42 |
最小: 1
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