画像は参考までに、仕様書を参照してください
FGA30N65SMD
| メーカー: | ON Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
| データシート: | FGA30N65SMD |
| 説明: | IGBT 650V 60A 300W TO3P-3 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | ON Semiconductor |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | Field Stop |
| 包装 | Tube |
| 入力タイプ | Standard |
| 門電荷 | 87nC |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 300W |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 実験条件 | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| スイッチングエネルギー | 716µJ (on), 208µJ (off) |
| td (on / off) @ 25°c | 14ns/102ns |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-3PN |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 30A |
| 反転回復時間(trr) | 35ns |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
| 現在-コレクターピン(Icm) | 90A |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 56 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $2.71 | $2.66 | $2.60 |
最小: 1
要求引用
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