FGA30T65SHD
メーカー: | ON Semiconductor |
---|---|
対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | FGA30T65SHD |
説明: | IGBT 650V 60A 238W TO-3PN |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | Trench Field Stop |
包装 | Tube |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 54.7nC |
部地位 | Active |
-マックス | 238W |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-3P-3, SC-65-3 |
実験条件 | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
スイッチングエネルギー | 598µJ (on), 167µJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 14.4ns/52.8ns |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-3PN |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
反転回復時間(trr) | 31.8ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 60A |
現在-コレクターピン(Icm) | 90A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 650V |
在庫が 57 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$2.06 | $2.02 | $1.98 |
最小: 1