画像は参考までに、仕様書を参照してください

FGA40T65SHD

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGA40T65SHD
説明: IGBT 650V 80A 268W TO-3PN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 72.2nC
部地位 Active
-マックス 268W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 400V, 40A, 6Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.01mJ (on), 297µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 19.2ns/65.6ns
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3PN
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A
反転回復時間(trr) 31.8ns
現在-コレクター・Ic (Max) 80A
現在-コレクターピン(Icm) 120A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 650V

在庫が 425 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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