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FGA60N60UFDTU

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGA60N60UFDTU
説明: IGBT 600V 120A 298W TO3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Field Stop
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 188nC
部地位 Active
-マックス 298W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 400V, 60A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.81mJ (on), 810µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 23ns/130ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3PN
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 60A
反転回復時間(trr) 47ns
現在-コレクター・Ic (Max) 120A
現在-コレクターピン(Icm) 180A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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