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FGB20N60SFD

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGB20N60SFD
説明: IGBT 600V 40A 208W D2PAK
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Field Stop
包装 Cut Tape (CT)
入力タイプ Standard
門電荷 65nC
部地位 Active
-マックス 208W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 400V, 20A, 10Ohm, 15V
ベース部材番号 FGB20N60
スイッチングエネルギー 370µJ (on), 160µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 13ns/90ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ D²PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A
反転回復時間(trr) 34ns
現在-コレクター・Ic (Max) 40A
現在-コレクターピン(Icm) 60A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 617 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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