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FGB20N6S2D

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGB20N6S2D
説明: IGBT 600V 28A 125W TO263AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 30nC
部地位 Obsolete
-マックス 125W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 390V, 7A, 25Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 25µJ (on), 58µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 7.7ns/87ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-263AB
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
反転回復時間(trr) 31ns
現在-コレクター・Ic (Max) 28A
現在-コレクターピン(Icm) 40A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

在庫が 53 pcs

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