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FGB40N6S2T

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGB40N6S2T
説明: IGBT 600V 75A 290W TO263AB
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Digi-Reel®
入力タイプ Standard
門電荷 35nC
部地位 Obsolete
-マックス 290W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 390V, 20A, 3Ohm, 15V
ベース部材番号 FGB40N6
スイッチングエネルギー 115µJ (on), 195µJ (off)
td (on / off) @ 25°c 8ns/35ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-263AB
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
現在-コレクター・Ic (Max) 75A
現在-コレクターピン(Icm) 180A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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