FGD3N60LSDTM-T
メーカー: | ON Semiconductor |
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対象品目: | Transistors - IGBTs - Single |
データシート: | FGD3N60LSDTM-T |
説明: | INTEGRATED CIRCUIT |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | ON Semiconductor |
対象品目 | Transistors - IGBTs - Single |
シリーズ | - |
igbtタイプ | - |
入力タイプ | Standard |
門電荷 | 12.5nC |
部地位 | Obsolete |
-マックス | 40W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
実験条件 | 480V, 3A, 470Ohm, 10V |
スイッチングエネルギー | 250µJ (on), 1mJ (off) |
td (on / off) @ 25°c | 40ns/600ns |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-252, (D-Pak) |
v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 1.5V @ 10V, 3A |
反転回復時間(trr) | 234ns |
現在-コレクター・Ic (Max) | 6A |
現在-コレクターピン(Icm) | 25A |
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 600V |
在庫が 79 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1