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FGD3N60LSDTM-T

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: FGD3N60LSDTM-T
説明: INTEGRATED CIRCUIT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
入力タイプ Standard
門電荷 12.5nC
部地位 Obsolete
-マックス 40W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
実験条件 480V, 3A, 470Ohm, 10V
スイッチングエネルギー 250µJ (on), 1mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 40ns/600ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-252, (D-Pak)
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
反転回復時間(trr) 234ns
現在-コレクター・Ic (Max) 6A
現在-コレクターピン(Icm) 25A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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